2N3055-familien

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Gå til: navigation, søg
2N3055 transistor monteret på en aluminumbaseret køleplade. En glimmer isolator isolerer elektrisk mellem transistorens hus og køleplade.
En (formentlig ældre) 2N3055 med fjernet top, så 2N3055-chippen kan ses.
En 2N3055 med fjernet top, så 2N3055-chippen kan ses og denes påsvejsede bonding wires.

2N3055-familien omfatter bipolare transistorer, som er baseret på mikrochips, der deler egenskaber. Ifølge JEDEC JESD370B fra 1982 hedder den husuafhængige 2N3055-families mikrochip 2C3055. 2N3055-familien er bipolare transistor baseret på silicium og er af polariteten NPN.

En yderst kendt repræsentant er transistoren med 2N3055-produktkoden. 2N3055 blev introduceret i starten af 1960'erne af RCA og som anvendte en hometaxial effekttransistor proces. I midten af 1970'erne gik man over til en epitaxial base. [1] 2N3055 produktkode følger JEDEC JESD370B-standarden. [2] 2N3055 er en transistorrepræsentant, som stadig (2012) er populær, grundet god pris i forhold til ydelse. [3] [4] [5]

Indholdsfortegnelse

Historie [redigér]

2N3055 transistorer har mange anvendelser i effekt kredsløb, inklusiv vekselrettere og spændingsregulatorer.

2N3055 var designet til middelstrømme og højeffekt kredsløb. Kommercielt blev 2N3055 anvendt i mange linære strømforsyninger, effektforstærkere og lavfrekvens vekselrettere. 2N3055 blev også lavet af mange andre producenter; Texas Instruments lister en mesa version i august 1967 databladet. [6]

Adskillige versioner af 2N3055 er stadig i produktion; den anvendes i audio effektforstærkere som kan yde op til 40W i 8 ohms belasninger[7] i en push–pull-konfiguration (med 2N2955).

F.eks. anvendes 2N3055 og dens komplementære 2N2955 i den prisgunstige og legendariske NAD 3020. [8] [9]

Specifikationer [redigér]

De eksakte ydelseskarakteristikker afhænger af producenten. 2N3055 har et TO-3 lignende hus,[10] men andre i 2N3055-familien kan have andre huse.

Det skal bemærkes at 2N3055A udgaven har en højere secondary breakdown-grænseknæ på Vce=60V,[11] hvilket er højere end den normale 2N3055, som har secondary breakdown-grænseknæ på Vce=40V.[12] Secondary breakdown-kurven falder hurtigere end den termiske effektgrænse. Grunden er, at der er termiske hot-spots i basis-emitter-regionen.

I forhold til at 2N3055-transistorchippen blev designet i 1960'erne, havde den en fremragende secondary breakdown-grænseknæ – og en ganske god secondary breakdown-grænseknæ sammenlignet med mange af eftertidens effekttransistorer.

I dag findes der væsentligt bedre bipolare transistorer, som har en væsentlig højere (og højere Vce(max)) eller slet ingen secondary breakdown-grænseknæ (f.eks. ring-emitter transistorer[13]), men deres pris er væsentlig højere end 2N3055, hvilket er hovedårsagen til at 2N3055 stadig er populær.

Tabel over 2N3055-lignende transistorer med 2C3055 mikrochip [redigér]

Be-
nævn-
else		 Hus-
type		 Mulig
komple-
mentær		 Vceo
(V)
max		 Vsecon-
dary
break-
down
knæ
(V)		 Ic
(A)
max		 Ib
(A)
max		 Tj
(°C)
max		 Ptot
@case=
25 °C
(W)
max		 Rjc
(°C/W
=K/W)
max		 hFE
=beta
@Ic=4A
@Vce=4V
(A/A)
min..max
(typ)		 Cib
(pF)
typ
(max)		 Cbc
(pF)
typ
(max)		 Cbo
(pF)
typ
(max)		 Ft
@Ic=0,5A
@Vce=10V
(MHz)
min(typ)		 Databladskilder
2N3055 TO-3 2N2955 60 40 15 7 200 117 1,52 20-70  ?  ?  ? 2,5 ON-Semiconductor[11]
2N3055 TO-3 2N2955 60  ? 15  ? 200 115  ? 20-70  ?  ?  ? 0,8 Mullard Quick Reference Guide 1977/78[14]
2N3055A TO-3  ? 60 60 15 7 200 115 1,52 20-70  ?  ?  ? 0,8 ON-Semiconductor[15]
MJ15015 TO-3 MJ15016 120 60 15 7 200 180 0,98 20-70  ?  ?  ? 0,8 ON-Semiconductor (Motorola produktkode)[15]
2N3055C TO-3  ? 60  ? 15 7 200 117  ? 20-160  ?  ?  ? 0,8 STE[16]
2N3055U TO-3  ? 80  ? 15 7 200 117  ? 20-250  ?  ?  ? 0,8 STE[17]
2N3055V TO-3  ? 60  ? 15 7 200 150  ? 20-250  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[18]
2N3055E TO-3  ? 60  ? 15  ?  ? 115  ? 20-70  ?  ?  ? (2,5) Seme Lab[19]
2N3055HV TO-3  ? 100  ? 15  ?  ? 90  ? 20-100  ?  ?  ? 2,5 Continental Device India Limited[20]
2N3055-1 TO-3  ? 40  ? 15 7 200 117  ? 20-70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[21]
2N3055-2 TO-3  ? 40  ? 15 7 200 117  ? 10-70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[22]
2N3055-3 TO-3  ? 100  ? 15 7 200 117  ? 20-70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[23]
2N3055-4 TO-3  ? 30  ? 15 7 200 117  ? 30-70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[24]
2N3055-5 TO-3  ? 30  ? 15 7 200 117  ? 14  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[25]
2N3055-6 TO-3  ? 100  ? 15 7 200 117  ? 15-70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[26]
2N3055-7 TO-3  ? 100  ? 15 7 200 117  ? 15-70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[27]
2N3055-8 TO-3  ? 100  ? 15 7 200 117  ? 70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[28]
2N3055-9 TO-3  ? 55  ? 15 7 200 117  ? 14-70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[29]
2N3055-10 TO-3  ? 55  ? 15 7 200 117  ? 70  ?  ?  ? 0,8 KELTRON[30]
BDY20 TO-3  ? 60  ? 15  ? 200 115  ? 20-70  ?  ?  ? 1,0 Mullard Quick Reference Guide 1977/78[14]
BD182 TO-3  ? 60  ? 15  ?  ? 117  ? 20-70  ?  ?  ?  ? Mullard Quick Reference Guide 1977/78[14]
BD183 TO-3  ? 80  ? 15  ?  ? 117  ? 20-70  ?  ?  ?  ? Mullard Quick Reference Guide 1977/78[14]
2N3054 TO-66  ? 55  ? 4  ?  ? 25  ?  ?  ?  ?  ? (0,8) Seme Lab[31]
2N3054A TO-37  ? 60  ? 4  ? 200 75  ? 25-150  ?  ?  ? 3 Fairchild[32]
2N3054S TO-37  ? 55  ? 4  ? 200 25  ? 25-200  ?  ?  ? 0,8 Fairchild[33]
MJ3055 TO-3 MJ2955 60  ? 10  ? 200 115  ? 20-70  ?  ?  ? (2) Seme Lab (Motorola produktkode)[34]
MJE3055T TO-220 MJE2955T 60  ? 10 6 150 75 1,66 20-70  ?  ?  ? 2 STMicroelectronics (Motorola produktkode)[35]
MJE3055T TO-220 MJE2955T 60 35 10 6 150 75  ? 20-70  ?  ?  ? 2 Fairchild[36]
TIP3055T TO-220 TIP2955T 60 40 10 4 150 75 1,67 20-70  ?  ?  ? 2 Philips (Texas Instruments produktkode)[37]
TIP3055 TO-247
ca.=
TO-3P		 TIP2955 60  ? 15 7 150 90  ? 20-70  ?  ?  ?  ? STMicroelectronics (Texas Instruments produktkode)[38]
2N3055ESMD TO-276
SMD		  ? 60  ? 15  ?  ? 115  ? 20-70  ?  ?  ? (2,5) Seme Lab[39]
KSH3055 TO-252
D-PAK/I-PAK
SMD		 KSH2955 60 60 10 6 150 20  ? 20-100  ?  ?  ? 2 Fairchild[40]
MJD3055 TO-252
D-PAK/I-PAK
SMD		 MJD2955 60 60 10 6 150 20  ? 20-100  ?  ?  ? 2 Fairchild[41]
2C3055 mikrochip 2C2955 60  ? 4  ?  ?  ?  ?  ?  ?  ?  ?  ? STi[42]

Tabel over MOSFETs, som ligger i slipstrømmen af 2N3055-succesen [redigér]

Tabel over effekt MOSFET-transistorer, som har en lignende strømgrænse og spændingsgrænse (60V) som 2N3055-familien – og med 3055 som produktkode tal. Det skal bemærkes, at effekt MOSFET-transistorer:

  • ikke har en "secondary breakdown"-grænse, da resistiviteten i source-drain-kanalen stiger med temperaturen.
  • er langt hurtigere end 2N3055-familien.
  • 2N3055 har en Vce(sat)(max)=3V ved 10A ved Ib=3,3A, hvor den "ringeste" specificerede effekt MOSFET fra tabellen (MTP3055VL) har en Rds(on)(max)=0,18 ohm og ved 10A svarer det til 1,8V. Da effekt MOSFET kun skal have gate-strøm ved spændingsændringer er Igate=0A – inkl. ved Ids=10A.
  • ikke uden videre kan erstatte en 2N3055, da der skal ændres i kredsløbsdesignet for at disse effekt MOSFET kan anvendes.
Be-
nævn-
else		 Hus-
type		 Hus-
stem-
pel.
SMD
kun
eks.
[43]		 Vds
(V)
max		 Id
(A)
max		 Vgs
(V)
max		 Tj
(°C)
max		 Ptot
@amb=
25 °C
(W)
max		 Rjc
(°C/W
=K/W)
max		 gfs
@Vds=10V
@Id=0,2A
(A/V)
min..max
(typ)
LL=
logic-level		 Rds(on)
@Vds ca.=5V
@Id=0,2A
(ohm)
typ
(max)		 Ciss
(pF)
typ
(max)		 Crss
(pF)
typ
(max)		 Coss
(pF)
typ
(max)		 Ton
(nS)
typ(max)		 Toff
(nS)
typ(max)		 Databladskilder
MTP3055V TO-220  ? 60 12 20 175 48 3,13 5 0,15 (500) (50) (180) (54) (125) Fairchild[44]
MTP3055VL TO-220  ? 60 12 15 175 48 3,13 (8,7) LL 0,18 (570) (40) (160) (210) (120) Fairchild[45]
RFD3055 TO-251AA  ? 60 12 20 175 53 2,8  ?  ? 300 30 100  ?  ? Fairchild[46]
RFP3055 TO-220AB  ? 60 12 20 175 53 2,8  ?  ? 300 30 100  ?  ? Fairchild[46]
NTD3055-094 DPAK
DPAK-3
SMD		  ? 60 12  ? 175 48 3,13 6,7 0,094 323(450) 34(70) 107(150) 40(85) 49(100) [47]
NTD3055L170 DPAK
DPAK-3
SMD		  ? 60 9 15 175 28,5 5,2 7,3 LL 0,17 195(275) 29(42) 70(100) 79(170) 48(100) [48]
NTF3055-100 SOT-223
SMD		  ? 60 3 20 175  ? 72,5 3,2 0,11 324(455) 110(155) 35(50) 24(50) 34(75) ONsemi[49]
NTF3055L108 SOT-223
SMD		  ? 60 3 15 175 2,1 72,5 5,7 LL 0,092(0,12) 313(440) 112(160) 40(60) 46(95) 49(105) ONsemi[50]

Kilder/referencer [redigér]

  1. ↑ Ellis, J.N.; Osadchy, V.S.; Zarlink Semiconductor (November 2001). "The 2N3055: a case history". IEEE Transactions on Electron Devices 48 (11): 2477–2484. doi:10.1109/16.960371. 
  2. ↑ S M Dhir (1999), Electronic Components and Materials, Tata McGraw-Hill Education, ISBN 978-0-07-463082-2, http://books.google.com/books?id=sGbwj4J76tEC&pg=PA145 
  3. ↑ P. Horowitz and W. Hill (2001). The art of electronics (2nd udg.). Cambridge University Press. p. 321. ISBN 978-0-521-37095-0. http://books.google.com/books?id=bkOMDgwFA28C&pg=PA321. "the ever-popular 2N3055" 
  4. ↑ Gordon McComb (2001). The robot builder's bonanza (2nd udg.). McGraw-Hill Professional. p. 261. ISBN 978-0-07-136296-2. http://books.google.com/books?id=vYxRVw955-oC&pg=PA261. "For high-power jobs, the NPN transistor that's almost universally used is the 2N3055" 
  5. ↑ Rudolf F. Graf and William Sheets (2001). Build your own low-power transmitters: projects for the electronics experimenter. Newnes. p. 14. ISBN 978-0-7506-7244-3. http://books.google.com/books?id=70rYm4s-9lcC&pg=PA14. "The 2N2222, 2N2905, and 2N3055 devices, for example, which date back to the 1960s but have been improved, are still useful in new designs and are still popular for experimenters." 
  6. ↑ The Power Semiconductor Data Book for Design Engineers First Edition, Texas Instruments Incorporated, publication no. CC-404 70977-22-IS, no date, page 5-75
  7. ↑ IOSS Group (2008). IOSS Applications Electronic Audio Circuits Sourcebook. 1. p. 52–53. ISBN 1-4404-7195-9. http://books.google.com/books?id=me-cb2bnHB4C&pg=PA52. Hentet 2011-03-25. 
  8. ↑ January 8, 2012, elcircuits.com: NAD 3020 Amplifier Legendary Audiophiles Amp 2N2955 2N3055 Transistor Circuit
  9. ↑ May 23rd, 2010, stardi.com: NAD 3020 Amplifier Audiophiles Class Legendary Amp Circuit 2N2955 2N3055
  10. ↑ On Semiconductor. Semiconductor Components Industries, LLC. December 2005: "2N3055(NPN), MJ2955(PNP): Complementary Silicon Power Transistors (6th revision)", semelab-tt.com: 2N3055E, radiomuseum.org: 2N3055, radiomuseum.org: BDY20
  11. ↑ 11,0 11,1 youtube.com: Secondary breakdown in bipolor junction transistors
  12. ↑ On Semiconductor. Semiconductor Components Industries, LLC. December 2005: "2N3055(NPN), MJ2955(PNP): Complementary Silicon Power Transistors (6th revision)"
  13. ↑ 1979, Fujitsu: 2SA1075
  14. ↑ 14,0 14,1 14,2 14,3 datasheets.org.uk: Mullard Quick Reference Guide 1977/78
  15. ↑ 15,0 15,1 onsemi.com: 2N3055A
  16. ↑ alltransistors.com: 2N3055C
  17. ↑ alltransistors.com: 2N3055U
  18. ↑ alltransistors.com: 2N3055V
  19. ↑ semelab-tt.com: 2N3055E
  20. ↑ datasheets.org.uk: Continental Device India Limited: 2N3055HV
  21. ↑ alltransistors.com: 2N3055-1
  22. ↑ alltransistors.com: 2N3055-2
  23. ↑ alltransistors.com: 2N3055-3
  24. ↑ alltransistors.com: 2N3055-4
  25. ↑ alltransistors.com: 2N3055-5
  26. ↑ alltransistors.com: 2N3055-6
  27. ↑ alltransistors.com: 2N3055-7
  28. ↑ alltransistors.com: 2N3055-8
  29. ↑ alltransistors.com: 2N3055-9
  30. ↑ alltransistors.com: 2N3055-10
  31. ↑ semelab-tt.com: 2N3054
  32. ↑ alltransistors.com: 2N3054A
  33. ↑ alltransistors.com: 2N3054S
  34. ↑ datasheets.org.uk: MJ3055
  35. ↑ st.com: MJE3055T
  36. ↑ fairchildsemi.com: MJE3055T
  37. ↑ st.com: TIP3055
  38. ↑ st.com: TIP3055
  39. ↑ semelab-tt.com: 2N3055ESMD
  40. ↑ fairchildsemi.com: KSH3055
  41. ↑ fairchildsemi.com: MJD3055
  42. ↑ semi-tech-inc.com: 2N3055DIE
  43. ↑ GM4PMK's SMD Codebook
  44. ↑ fairchildsemi.com: MTP3055V
  45. ↑ fairchildsemi.com: MTP3055VL
  46. ↑ 46,0 46,1 fairchildsemi.com: RFD3055
  47. ↑ onsemi.com: NTD3055-094
  48. ↑ onsemi.com: NTD3055L170
  49. ↑ onsemi.com: NTF3055-100
  50. ↑ onsemi.com: NTF3055L108

Eksterne henvisninger [redigér]

Commons-logo.svg
 Wikimedia Commons har medier relateret til:
Hentet fra "http://da.wikipedia.org/w/index.php?title=2N3055-familien&oldid=7060947"