Backward-diode
Indenfor halvlederkomponenter er en backward-diode (også kaldet back-diode[2][3]) en variation af en zenerdiode eller tunneldiode som har bedre elektrisk ledning af små negative bias spændinger (fx -0,1 til -0,6 V) end for positive bias spændinger.
Den baglænse strøm i en backward-diode sker via kvantemekanisk tunnelering, hvilket også kaldes tunneleffekt.[4][5][6]
Backward-diodens strøm–spænding karakteristikker[redigér | rediger kildetekst]
Forward I–V karakteristikken er den samme som en ordinær PN-diode. Breakdown starter når omvendt bias spænding anvendes. I tilfældet med zener-breakdown, starter den ved en bestemt spænding. I denne diode holdes spændingen relativ konstant (uafhængig af strøm) når den påtrykkes omvendt bias spænding. Backward-diode er en speciel type af tunneldiode og den negative differentielle modstandsområde forsvinder næsten. Forward-strømmen er meget lille og er ækvivalent med spærrelækstrømmen i en ordinær diode.
Anvendelser[redigér | rediger kildetekst]
- Detektor
- Da backward-dioden har en lav kapacitans og ingen charge storage effect,[5] og en stærk ikke-linear småsignal karakteristik, kan backward-dioden anvendes som detektor op til 40 GHz.
- Ensretter
- En backward-diode kan anvendes til at ensrette svage signaler med spidsamplituder på 0,1 til 0,7 V.
- Switch
- En backward-diode kan anvendes i højhastighedsswitching.
Referencer[redigér | rediger kildetekst]
- ^ Stanley William Amos, Roger S. Amos (1999). Newnes Dictionary of Electronics. Newnes. ISBN 0-7506-4331-5.
- ^ Paul Horowitz, Winfield Hill (1989). The Art of Electronics, 2nd edition. s. 891.
- ^ w140.com: Back.diode
- ^ Anwar A. Khan and Kanchan K. Dey (2006). A First Course in Electronics. Prentice Hall of India. ISBN 81-203-2776-4.
- ^ a b S.L. Kakani (2004). Electronics Theory and Applications. New Age Intl. Ltd. ISBN 81-224-1536-9.
- ^ Karlheinz Seeger (2004). Semiconductor Physics: An Introduction. Springer. ISBN 3-540-21957-9.