2N7000-familien

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Gå til: navigation, søg
Eksempel på et TO-92 hus som 2N7000 transistorchippen er pakket ind i. Ikke skalatro.
Eksempel på et TO-236/SOT-23 hus som 2N7002 transistorchippen er pakket ind i. Ikke skalatro.

2N7000-familien er flere enkelt-gate N-kanal enhancement-mode MOSFET, som er bredt anvendelige. De har ligesom de fleste enkelt-gate MOSFETs tre terminaler/ben. F.eks. er 2N7000-familiens mikrochip indpakket i hustypen TO-92 af plast. Det midterste ben på 2N7000 er gaten (terminalen hvor styrespændingen sendes over – i forhold til source-benet), der skal styre strømgennemgangen mellem de to ben (drain og source).

2N7000-familiens 2N7000-chip er den bredeste fællesnævner for 2N7000-familien, som vises i en tabel længere fremme. 2N7000-chippen findes også i en indpakning til overflademontering og kaldes så 2N7002 (har andre effekt- og Id strøm-grænser).

Alternative transistorer kompatible med 2N7000[redigér | redigér wikikode]

Elektrisk er 2N7000 (nordamerikansk JEDEC JESD370B-system), ifølge den engelske Wikipedia, kompatibel med BS170.

Det er yderst vigtig at tjekke erstatningstransistorenes benforbindelserne i databladet – de kan nemlig være byttet rundt.

BS170 typenummerets eller produktkodens information[redigér | redigér wikikode]

"BS170" typenummerets eller produktkodens (europæiske Pro Electron-system) første bogstav "B" indikerer at komponentens aktive halvlederområde er siliciumbaseret. Det andet bogstav "S" indikerer at komponenten er en laveffekttransistor (chip↔husoverflade varmemodstand > 15 °C/W) egnet til lavfrekvens og switching. "170" er blot et distinkt nummer.

Omtrent komplementær til 2N7000-familien er p-channel MOSFETtene TP0610L, TP0610T, VP0610L, VP0610T, BS250.[1]

Driftsgrænser[redigér | redigér wikikode]

Nogle af MOSFET-transistorers vigtige grænser er den maksimale chip-temperatur og maksimal strøm gennem source og drain benene – og maksimal spænding over gate og source. Overskrides chip-temperaturgrænsen, vil transistorens parametre blive forringet. Bliver benenes strømgrænser overskredet i længere tid, kan tilledningstrådene smelte og måske tager chippen skade. 2N7000-chippen kan klare 150 °C.

2N7000 har flere grænser som er afledt af den maksimale chip-temperatur – og evt. køleplade og varmeovergangsmodstanden mellem chip↔luft (Rja) – eller chip↔husoverflade (Rjc), husoverflade↔køleplade (Rcr) og køleplade↔luft (Rra). Ud af foregående kan max. afsat effekt som funktion af omgivelsestemperaturen beregnes:

Ptotmax(uden_køleplade) = (max-chip-temperatur – omgivelsestemperatur)/Rja

eller

Ptotmax(med_køleplade) = (max-chip-temperatur – omgivelsestemperatur)/(Rjc+Rcr+Rra)

2N7000 har en varmeovergangsmodstanden mellem chip↔luft på ca. 313 °C/W – og en chip↔husoverflade på ca. 83,3 °C/W.

Ptotmax(uden_køleplade, a=25 °C) = (150 °C – 25 °C)/(313 °C/W) ca.= 0,4W

Ptotmax(uden_køleplade, a=75 °C) = (150 °C – 75 °C)/(313 °C/W) ca.= 0,24W

2N7000 kan ifølge databladet klare op til 60 volt over drain og source, men højst ca. 200 milliampere[2] gennem drain og source.

Tabel over transistorer med 2N7000-familiens chip eller bedre[redigér | redigér wikikode]

Hvad kan man så bruge tabellen til. Hvis man designer sit elektriske kredsløb efter mindste transistor fællesnævner (2N7000, med en strømgrænse på 115mA), så kan alle nedenstående anvendes.

Be-
nævn-
else
Hus-
type
Hus-
stem-
pel.
SMD
kun
eks.
[3]
Vds
(V)
max
Id
(mA)
max
Vgs
(V)
max
Tj
(°C)
max
Ptot
@amb=
25 °C
(mW)
max
Rja
(°C/W
=K/W)
max
gfs
@Vds=10V
@Id=0,2A
(A/V)
min..max
(typ)
Rds(on)
@Vds ca.=5V
@Id=0,2A
(ohm)
typ
(max)
Ciss
(pF)
typ
(max)
Crss
(pF)
typ
(max)
Coss
(pF)
typ
(max)
Ton
(nS)
typ(max)
Toff
(nS)
typ(max)
Databladskilder
2N7000 TO-92 2N7000 60 200 20 150 400 313 0,1(0,32) 4(7,5) 22(60) 2(5) 11(25) 7(10) 7(10) [2]
VQ1000J
4 MOSFETs
DIL14 VQ1000J 60 225 20 150 1300 96 0,1 4(7,5) 22(60) 2(5) 11(25) 7(10) 7(10) [2]
BS170 TO-92 BS170 60 500 20 150 830 156 0,08 3,2(7,5) 22(50) 2(5) 11(25) 7(10) 7(10) [2]
2N7002 SOT-23  ? 60 115 20 150 200 625 0,08(0,32) 1,7(7,5) 22(60) 2(5) 11(25) (20) (20) [2]
MMBF170 SOT-23  ? 60 500 20 150 300 417 (0,32) 1,2(5) 24(40) 7(10) 17(30) (10) (10) [2]
NDS7002A SOT-23  ? 60 280 20 150 300 417 0,08(0,32) 1,7(3) 22(60) 2(5) 11(25) (20) (20) [2]

Alternative laveffekt MOSFET transistorer[redigér | redigér wikikode]

Laveffekt MOSFET transistorer kan være lidt svære at finde og specielt som komplementære par. Nogen, som er værd at nævne, er følgende transistorer fra Fairchild Semiconductor som sammenlignet med 2N7000-familien, har lavere gate-kapaciteter, hurtigere, er logic-level (helt on ved 2,7Vgs), men kun 25Vdsmax, Vgsmax(n-ch)=+8V, Vgsmin(n-ch)=-0,5V og kun til overflademontage (SMD):

  • Enkeltstyks i hus: FDV301 (n-channel) – og FDV302 (p-channel)
  • 2 stk i hus: FDC6301N, FDG6301N (n-channel) – og FDC6302P, FDG6302P (p-channel)

Har man brug for højere Vds spændinger end 2N7000-familien, kan man se på BS107, BS107A og BS108, som er specificeret til 200V. BS109 er specificeret til 400V.

Kilder/referencer[redigér | redigér wikikode]

Teknik og teknologi Stub
Denne artikel om teknik eller teknologi er kun påbegyndt. Hvis du ved mere om emnet, kan du hjælpe Wikipedia ved at udvide den.