Balistisk transistor

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Gå til: navigation, søg
Differensforstærker baseret på MOSFETs (venstre) og på en BDT (højre).

En ballistisk transistor (BDT - forkortet fra engelsk Ballistic deflection transistors) er en elektronisk komponent, der er ved at blive udviklet for højhastigheds integrerede kredsløb. I stedet for at skifte strømmen af adskillige elektroner ved at anvende gates, som det er gjort med MOSFETs, manipulerer BDTs kursen af de enkelte elektroner ved at anvende elektromagnetiske kræfter. De frit strømmende elektroner bliver dirigeret til en af siderne om en kileformet forhindring (en 'afbøjer') på en af de to mulige veje, som svarer til en logisk '1' eller '0'.[1]

Et tidligere anvendt elektronrør kaldet et beam-deflection tube anvendte samme funktionalitet.

Fordele[redigér | redigér wikikode]

Fordele er mindre størrelse, reduceret støj, lavere effektbelastning og højere hastigheder (op til terahertz-området). En forskningsprototype er blevet lavet. Teknikken undersøges pt (2006) af University of Rochester.

Kilder/referencer[redigér | redigér wikikode]

Eksterne henvisninger[redigér | redigér wikikode]

Fysik Stub
Denne artikel om fysik er kun påbegyndt. Hvis du ved mere om emnet, kan du hjælpe Wikipedia ved at udvide den.