Darlingtonkobling

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Gå til: navigation, søg
Kredsløbsdiagram af en Darlingtonkobling bestående af 2 NPN bipolare transistorer.

Indenfor elektronik er en Darlingtonkobling (også set kaldet en Darlington-transistor eller et Darlington-par) er en sammensat struktur bestående af to bipolare transistorer (enten integreret på en mikrochip eller separate transistorer) forbundet således at strømmen forstærket af den første transistor er forstærket yderligere af den anden. [1]

Denne konfiguration giver en meget højere fælles emitter strømforstærkning end hver transistor taget separat og i tilfældet af en integreret Darlington-mikrochip, kan der spares plads i forhold til de to separate transistorer, fordi de kan anvende en delt kollektor-tilledning. Integrerede Darlington-par kommer indpakket i enkelt transistor-lignende hus eller som en mængde af enheder (typisk otte) i et integreret kredsløb.

Darlingtonkoblingen blev opfundet af Bell Laboratories ingeniør Sidney Darlington i 1953. Han patenterede ideen af at have to eller tre transistorer på en enkelt mikrochip delende en kollektor-tilledning. [2]

En lignende konfiguration men med transistorer af modsatte polariteter (NPN og PNP) er Sziklai-parret, nogle gange kaldet en "komplementær Darlington".

Kilder/referencer[redigér | redigér wikikode]

  1. Horowitz, Paul (1989). The Art of Electronics. Cambridge University Press. ISBN 0-521-37095-7. 
  2. Darlington’s Contributions to Transistor Circuit Design

Eksterne henvisninger[redigér | redigér wikikode]