Insulated-gate bipolar transistor

IGBT diagramsymbol.

En IGBT pakket ind i et hus med skrueterminaler. IGBTen kan klare 3300V og 1200A og er en Mitsubishi CM1200HC-66H.

Lodret tværsnit principtegning af en IGBT.

En karakteristik af en IGBT.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) er en elektronisk komponent, der kombinerer MOSFET- og bipolar transistorteknologi.

Bruges den strømstærke operationsforstærker, AD8031, i kontrolkredsløbet, er et ret ret afladningsforløb og en ekstremt lodret forflanke indenfor det opnåelige. Herved opnås høje spændinger – ja op til mange mange kilovolt – ved fuld kontrol.

Eksterne henvisninger

• Wikimedia Commons har flere filer relateret til Insulated-gate bipolar transistor
• About the inventors
• Device physics information from the University of Glasgow
• Spice model for IGBT

Spire Denne naturvidenskabsartikel er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den.