2N7000-familien
2N7000-familien er flere enkelt-gate N-kanal enhancement-mode MOSFET, som er bredt anvendelige. De har ligesom de fleste enkelt-gate MOSFETs tre terminaler/ben. F.eks. er 2N7000-familiens mikrochip indpakket i hustypen TO-92 af plast. Det midterste ben på 2N7000 er gaten (terminalen hvor styrespændingen sendes over – i forhold til source-benet), der skal styre strømgennemgangen mellem de to ben (drain og source).
2N7000-familiens 2N7000-chip er den bredeste fællesnævner for 2N7000-familien, som vises i en tabel længere fremme. 2N7000-chippen findes også i en indpakning til overflademontering og kaldes så 2N7002 (har andre effekt- og Id strøm-grænser).
Alternative transistorer kompatible med 2N7000[redigér | rediger kildetekst]
Elektrisk er 2N7000 (nordamerikansk JEDEC JESD370B-system), ifølge den engelske Wikipedia, kompatibel med BS170.
Det er yderst vigtig at tjekke erstatningstransistorenes benforbindelserne i databladet – de kan nemlig være byttet rundt.
BS170 typenummerets eller produktkodens information[redigér | rediger kildetekst]
"BS170" typenummerets eller produktkodens (europæiske Pro Electron-system) første bogstav "B" indikerer at komponentens aktive halvlederområde er siliciumbaseret. Det andet bogstav "S" indikerer at komponenten er en laveffekttransistor (chip↔husoverflade varmemodstand > 15 °C/W) egnet til lavfrekvens og switching. "170" er blot et distinkt nummer.
Omtrent komplementær til 2N7000-familien er p-channel MOSFETtene TP0610L, TP0610T, VP0610L, VP0610T, BS250.[1]
Driftsgrænser[redigér | rediger kildetekst]
Nogle af MOSFET-transistorers vigtige grænser er den maksimale chip-temperatur og maksimal strøm gennem source og drain benene – og maksimal spænding over gate og source. Overskrides chip-temperaturgrænsen, vil transistorens parametre blive forringet. Bliver benenes strømgrænser overskredet i længere tid, kan tilledningstrådene smelte og måske tager chippen skade. 2N7000-chippen kan klare 150 °C.
2N7000 har flere grænser som er afledt af den maksimale chip-temperatur – og evt. køleplade og varmeovergangsmodstanden mellem chip↔luft (Rja) – eller chip↔husoverflade (Rjc), husoverflade↔køleplade (Rcr) og køleplade↔luft (Rra). Ud af foregående kan max. afsat effekt som funktion af omgivelsestemperaturen beregnes:
Ptotmax(uden_køleplade) = (max-chip-temperatur – omgivelsestemperatur)/Rja
eller
Ptotmax(med_køleplade) = (max-chip-temperatur – omgivelsestemperatur)/(Rjc+Rcr+Rra)
2N7000 har en varmeovergangsmodstanden mellem chip↔luft på ca. 313 °C/W – og en chip↔husoverflade på ca. 83,3 °C/W.
Ptotmax(uden_køleplade, a=25 °C) = (150 °C – 25 °C)/(313 °C/W) ca.= 0,4W
Ptotmax(uden_køleplade, a=75 °C) = (150 °C – 75 °C)/(313 °C/W) ca.= 0,24W
2N7000 kan ifølge databladet klare op til 60 volt over drain og source, men højst ca. 200 milliampere[2] gennem drain og source.
Tabel over transistorer med 2N7000-familiens chip eller bedre[redigér | rediger kildetekst]
Hvad kan man så bruge tabellen til. Hvis man designer sit elektriske kredsløb efter mindste transistor fællesnævner (2N7000, med en strømgrænse på 115mA), så kan alle nedenstående anvendes.
| Be- nævn- else |
Hus- type |
Hus- stem- pel. SMD kun eks. [3] |
Vds (V) max |
Id (mA) max |
Vgs (V) max |
Tj (°C) max |
Ptot @amb= 25 °C (mW) max |
Rja (°C/W =K/W) max |
gfs @Vds=10V @Id=0,2A (A/V) min..max (typ) |
Rds(on) @Vds ca.=5V @Id=0,2A (ohm) typ (max) |
Ciss (pF) typ (max) |
Crss (pF) typ (max) |
Coss (pF) typ (max) |
Ton (nS) typ(max) |
Toff (nS) typ(max) |
Databladskilder |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7000 | TO-92 | 2N7000 | 60 | 200 | 20 | 150 | 400 | 313 | 0,1(0,32) | 4(7,5) | 22(60) | 2(5) | 11(25) | 7(10) | 7(10) | [2] |
| VQ1000J 4 MOSFETs |
DIL14 | VQ1000J | 60 | 225 | 20 | 150 | 1300 | 96 | 0,1 | 4(7,5) | 22(60) | 2(5) | 11(25) | 7(10) | 7(10) | [2] |
| BS170 | TO-92 | BS170 | 60 | 500 | 20 | 150 | 830 | 156 | 0,08 | 3,2(7,5) | 22(50) | 2(5) | 11(25) | 7(10) | 7(10) | [2] |
| 2N7002 | SOT-23 | ? | 60 | 115 | 20 | 150 | 200 | 625 | 0,08(0,32) | 1,7(7,5) | 22(60) | 2(5) | 11(25) | (20) | (20) | [2] |
| MMBF170 | SOT-23 | ? | 60 | 500 | 20 | 150 | 300 | 417 | (0,32) | 1,2(5) | 24(40) | 7(10) | 17(30) | (10) | (10) | [2] |
| NDS7002A | SOT-23 | ? | 60 | 280 | 20 | 150 | 300 | 417 | 0,08(0,32) | 1,7(3) | 22(60) | 2(5) | 11(25) | (20) | (20) | [2] |
Alternative laveffekt MOSFET transistorer[redigér | rediger kildetekst]
Laveffekt MOSFET transistorer kan være lidt svære at finde og specielt som komplementære par. Nogen, som er værd at nævne, er følgende transistorer fra Fairchild Semiconductor som sammenlignet med 2N7000-familien, har lavere gate-kapaciteter, hurtigere, er logic-level (helt on ved 2,7Vgs), men kun 25Vdsmax, Vgsmax(n-ch)=+8V, Vgsmin(n-ch)=-0,5V og kun til overflademontage (SMD):
- Enkeltstyks i hus: FDV301 (n-channel) – og FDV302 (p-channel)
- 2 stk i hus: FDC6301N, FDG6301N (n-channel) – og FDC6302P, FDG6302P (p-channel)
Har man brug for højere Vds spændinger end 2N7000-familien, kan man se på BS107, BS107A og BS108, som er specificeret til 200V. BS109 er specificeret til 400V.
Kilder/referencer[redigér | rediger kildetekst]
- ^ "vishay.com: TP0610L, TP0610T, VP0610L, VP0610T, BS250" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 26. maj 2012. Hentet 4. juli 2012.
- ^ a b c d e f g fairchildsemi.com: 2N7000, 2N7002, NDS7002A datablad Arkiveret 28. marts 2018 hos Wayback Machine, fairchildsemi.com: BS170, MMBF170 Arkiveret 25. marts 2013 hos Wayback Machine, vishay.com: 2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170 datablad Arkiveret 18. januar 2012 hos Wayback Machine
- ^ "GM4PMK's SMD Codebook". Arkiveret fra originalen 17. maj 2016. Hentet 4. juli 2012.
 | Spire Denne artikel om elektronik er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den. |