Galliumarsenid
Galliumarsenid (GaAs) er en kemisk forbindelse mellem grundstofferne gallium og arsen. Det er en direkte båndgab-halvleder mellem gruppe 3 og 5, med en zinkblende krystalstruktur.
Galliumarsenid anvendes til fremstillingen af enheder såsom integrerede kredsløb til mikrobølge-frekvenser, infrarøde lysdioder, laserdioder, solceller og optiske vinduer.[1]
GaAs anvendes ofte som et substratmateriale til den epitaksiale vækst af andre III-V-halvledere, heriblandt: Indiumgalliumarsenid, aluminumgalliumarsenid og andre.
Noter[redigér | rediger kildetekst]
- ^ Moss, S. J.; Ledwith, A. (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 0-216-92005-1.
 | Spire Denne artikel om kemi er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den. |
 | Manglende infoboks Nogle af informationerne i denne artikel kunne med fordel samles eller opsummeres i en infoboks, som det anbefales i stilmanualen |