Galliumarsenid

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Spring til navigation Spring til søgning
3-D Model af Galliumarsenid

Galliumarsenid (GaAs) er en kemisk forbindelse mellem grundstofferne gallium og arsen. Det er en direkte båndgab-halvleder mellem gruppe 3 og 5, med en zinkblende krystalstruktur.

Galliumarsenid anvendes til fremstillingen af enheder såsom integrerede kredsløb til mikrobølge-frekvenser, infrarøde lysdioder, laserdioder, solceller og optiske vinduer.[1]

GaAs anvendes ofte som et substratmateriale til den epitaksiale vækst af andre III-V-halvledere, heriblandt: Indiumgalliumarsenid, aluminumgalliumarsenid og andre.

Noter[redigér | redigér wikikode]

  1. ^ Moss, S. J.; Ledwith, A. (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 0-216-92005-1. 
KemiStub
Denne artikel om kemi er kun påbegyndt. Hvis du ved mere om emnet, kan du hjælpe Wikipedia ved at udvide den.
List-Icon.svgManglende infoboks
Nogle af informationerne i denne artikel kunne med fordel samles eller opsummeres i en infoboks, som det anbefales i stilmanualen