Effekt MOSFET

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Spring til navigation Spring til søgning
En SMD (overflademonteret) effekt MOSFET der kan tåle 45 ampere og 20V. De findes f.eks. på et PC bundkort.
N-channels: IGFET symbol N dep.png IGFET symbol N enh.png
P-channels: IGFET symbol P dep.png IGFET symbol P enh.png
depletion IGFET enhancement IGFET
Transistor symboler for MOSFET som er ét eksempel på en IGFET.
Langt de fleste effekt MOSFET er af enhancementtypen
- dvs. at deres kanal er ikke-ledende for Vgs=0V.
Specifik modstand som funktion af maksimal design Vds spænding. Den stiblede linje er hvad en ideel siliciumbaseret effekt MOSFET kan opnå.

En effekt MOSFET (eller power MOSFETfabrikant salgsnavne: VMOS, TMOS, DMOS, MegaMOS, HEXFET, HiPerMOS, SIPMOS, TrenchMOS) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter lavet af halvlederfaststof og formet som en chip og pakket ind i et hus med typisk tre ben (også kaldet terminaler). Deres formål i næsten al elektronik er at forstærke elektriske signaler (analog styring) eller fungere som en elektrisk kontakt (digital styring).

Effekt MOSFET anvendes hovedsageligt med digital styring i effektelektronik som f.eks. SMPS (f.eks. vekselrettere), elmotor-kommutering, udgangsforstærkere, radiosendere, fjernsyn.

En effekt MOSFET er en speciel MOSFET transistorversion, som er optimeret til at lede og spærre for store elektriske strømme (mere end 100 ampere eller mere end 1000 volt) i en brik på ca. 1 cm³. Den høje ydelse nås ved hjælp af en halvlederstruktur, som parallelkobler mange del-MOSFET linjer/baner på stort set hele chip-overfladen.

Det skal bemærkes at effekt MOSFET-transistorer i modsætning til bipolare transistorer ikke har en secondary breakdown-grænse, da resistiviteten i source-drain-kanalen stiger med temperaturen.

Fra ca. 1980 til 2010 er effekt MOSFETs FOM (Figure-of-Merit) blevet 40 gange mindre (bedre).[1]

Se også[redigér | redigér wikikode]

Kilder/referencer[redigér | redigér wikikode]

  1. ^ Sep 1, 2010, powerelectronics.com: eGaN(tm)-Silicon Power Shoot-Out: Part 1 Comparing Figure of Merit (FOM), backup, pdf, backup Citat: "...FOM (Figure-of-Merit) is a useful method to compare power devices and has been used by MOSFET manufacturers to show both generational improvements and competitive devices:...Fig. 2 Rds(on) vs. QGD for different power transistors...during the past 30 years of MOSFET improvement, the switching FOM has gone down by a factor of 40!..."

Eksterne henvisninger[redigér | redigér wikikode]

Generelt[redigér | redigér wikikode]

Teknisk[redigér | redigér wikikode]

NaturvidenskabStub
Denne naturvidenskabsartikel er kun påbegyndt. Hvis du ved mere om emnet, kan du hjælpe Wikipedia ved at udvide den.