Spring til indhold

Darlingtonkobling

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
Kredsløbsdiagram af en Darlingtonkobling bestående af 2 NPN bipolare transistorer.

Indenfor elektronik er en Darlingtonkobling (også set kaldet en Darlington-transistor eller et Darlington-par) er en sammensat struktur bestående af to bipolare transistorer (enten integreret på en mikrochip eller separate transistorer) forbundet således at strømmen forstærket af den første transistor er forstærket yderligere af den anden. [1]

Denne konfiguration giver en meget højere fælles emitter strømforstærkning end hver transistor taget separat og i tilfældet af en integreret Darlington-mikrochip, kan der spares plads i forhold til de to separate transistorer, fordi de kan anvende en delt kollektor-tilledning. Integrerede Darlington-par kommer indpakket i enkelt transistor-lignende hus eller som en mængde af enheder (typisk otte) i et integreret kredsløb.

Darlingtonkoblingen blev opfundet af Bell Laboratories ingeniør Sidney Darlington i 1953. Han patenterede ideen af at have to eller tre transistorer på en enkelt mikrochip delende en kollektor-tilledning. [2]

En lignende konfiguration men med transistorer af modsatte polariteter (NPN og PNP) er Sziklai-parret, nogle gange kaldet en "komplementær Darlington". Sziklai-koblingen har typisk mere end 20dB (10 gange) lavere harmonisk forvrængning end Darlington-koblingen. Herudover er effektudgangstrin baseret på Sziklai-koblingen betydeligt mere termisk stabile end Darlington-koblingen.[3]

Kilder/referencer

[redigér | rediger kildetekst]
  1. ^ Horowitz, Paul; Winfield Hill (1989). The Art of Electronics. Cambridge University Press. ISBN 0-521-37095-7.
  2. ^ "Darlington's Contributions to Transistor Circuit Design" (PDF). Arkiveret (PDF) fra originalen 19. juli 2011. Hentet 15. juli 2012.
  3. ^ Rod Elliott: Compound Pair Vs. Darlington Pair Arkiveret 1. juli 2015 hos Wayback Machine Citat: "...Quite obviously, the compound pair [Sziklai-kobling] (green trace) has fewer harmonics above the -120dB noise floor, and they are all at a lower level - by 20dB or more!...The temperature dependence of the two circuits in Figure 5 is shown in Table 1. Because it is much easier to keep the driver transistors at a consistent temperature, it is apparent that it will be far easier to maintain a stable bias current using the compound pair [Sziklai-kobling] than can ever be the case with a Darlington pair..."

Eksterne henvisninger

[redigér | rediger kildetekst]